G100硬鉻工藝使用說明書
工藝特點(diǎn)：
1、 陰極電流效率高，可達(dá)22-27%。
2、 沉積速度快，是一般普通電鍍鉻的2-3倍。
3、 無陰極低電流區(qū)腐蝕。
4、 鍍層平滑，結(jié)晶細(xì)致光亮。
5、 鍍層硬度高，可達(dá)Hv900-1150。
6、 微裂紋可達(dá)400-600條/cm。
7、 鍍層厚度均勻，無高電流區(qū)過厚沉積。
8、 可使用高電流密度，可達(dá)90A/dm2。
9、 無陽極腐蝕，不需采用特殊陽極。
10、 鍍液維護(hù)簡單，操作容易。
產(chǎn)品性狀：
1、 外觀：紅棕色透明液體。
2、 比重：1.2g/cm3
3、 PH值：0.5～1
4、 本品無毒，不燃燒，不爆炸，非危險品。
5、 本品穩(wěn)定，在10～40℃下儲存較合適，在低溫下長時間儲存會導(dǎo)致結(jié)晶，經(jīng)水浴加熱溶解后不影響使用性能。
鍍液組成和操作條件：
| 鉻酐（CrO3） | 250（225-275）g/L |
| 硫酸（H2SO4） | 3.0（2.6-5.0）g/L |
| G100添加劑 | 20（16-20）ml/L |
溫度
| 58（55-65）℃ |
| 陰極電流密度 | 60（30-75）A/dm2 |
| 陽極電流密度 | 30（15-35）A/dm2 |
鍍液配制：
1、 在清潔的鍍槽中注入2/3體積去離子水。
2、 加入所需量的優(yōu)質(zhì)鉻酐和G100添加劑，添加劑比重為1.2。
3、 加入去離子水調(diào)節(jié)至規(guī)定液面，充分?jǐn)嚢琛⑷芙狻?/span>
4、 加熱至55-65℃。
5、 分析硫酸濃度，調(diào)整至規(guī)定工藝范圍內(nèi)。
6、 電解2-4小時。
7、 加入適宜的鉻霧抑制劑。
8、 試鍍。
沉積速度：
| 陰極電流密度（A/dm2） | 沉積速度（微米/小時） |
| 30 | 20-30 |
| 45 | 40-50 |
| 60 | 50-70 |
| 75 | 70-90 |
沉積速度會隨溫度降低而稍有升高，但光亮范圍會變窄。
設(shè)備：
1、 鍍槽：鐵槽內(nèi)襯用軟PVC或其它認(rèn)可的材料，槽邊應(yīng)配有排風(fēng)設(shè)備。
2、 陽極：含錫6-8%的錫鉛陽極或其它認(rèn)可材料。
3、 整流器：整流器應(yīng)能提供足夠安培數(shù)及9-15V的直流電，波紋率應(yīng)小于5%。
4、 溫度控制：采用熱交換器或冷卻管，建議用鈦管或聚四氟乙烯。
轉(zhuǎn)缸及前處理：
傳統(tǒng)硬鉻鍍液可直接使用G100添加劑，轉(zhuǎn)缸工藝簡單，但應(yīng)將原鍍液分析檢驗(yàn)，確認(rèn)各組分比例正常，無機(jī)雜質(zhì)小于7.5g/L，含氟型和稀土型鍍鉻液不宜直接轉(zhuǎn)化。如使用國外同類產(chǎn)品，在鍍液正常時可直接添加。G100添加劑工藝的前處理同一般鍍硬鉻工藝相同，無需特殊處理。
槽液維護(hù)：
保持鉻酐、硫酸在工藝范圍內(nèi)，添加劑G100添加劑按7ml/KAH補(bǔ)加。
G100硬鉻工藝使用說明書
工藝特點(diǎn)：
1、 陰極電流效率高，可達(dá)22-27%。
2、 沉積速度快，是一般普通電鍍鉻的2-3倍。
3、 無陰極低電流區(qū)腐蝕。
4、 鍍層平滑，結(jié)晶細(xì)致光亮。
5、 鍍層硬度高，可達(dá)Hv900-1150。
6、 微裂紋可達(dá)400-600條/cm。
7、 鍍層厚度均勻，無高電流區(qū)過厚沉積。
8、 可使用高電流密度，可達(dá)90A/dm2。
9、 無陽極腐蝕，不需采用特殊陽極。
10、 鍍液維護(hù)簡單，操作容易。
產(chǎn)品性狀：
1、 外觀：紅棕色透明液體。
2、 比重：1.2g/cm3
3、 PH值：0.5～1
4、 本品無毒，不燃燒，不爆炸，非危險品。
5、 本品穩(wěn)定，在10～40℃下儲存較合適，在低溫下長時間儲存會導(dǎo)致結(jié)晶，經(jīng)水浴加熱溶解后不影響使用性能。
鍍液組成和操作條件：
| 鉻酐（CrO3） | 250（225-275）g/L |
| 硫酸（H2SO4） | 3.0（2.6-5.0）g/L |
| G100添加劑 | 20（16-20）ml/L |
| 溫度 | 58（55-65）℃ |
| 陰極電流密度 | 60（30-75）A/dm2 |
| 陽極電流密度 | 30（15-35）A/dm2 |
鍍液配制：
1、 在清潔的鍍槽中注入2/3體積去離子水。
2、 加入所需量的優(yōu)質(zhì)鉻酐和G100添加劑，添加劑比重為1.2。
3、 加入去離子水調(diào)節(jié)至規(guī)定液面，充分?jǐn)嚢�、溶解�?br/> 4、 加熱至55-65℃。
5、 分析硫酸濃度，調(diào)整至規(guī)定工藝范圍內(nèi)。
6、 電解2-4小時。
7、 加入適宜的鉻霧抑制劑。
8、 試鍍。
沉積速度：
| 陰極電流密度（A/dm2） | 沉積速度（微米/小時） |
| 30 | 20-30 |
| 45 | 40-50 |
| 60 | 50-70 |
| 75 | 70-90 |
沉積速度會隨溫度降低而稍有升高，但光亮范圍會變窄。
設(shè)備：
1、 鍍槽：鐵槽內(nèi)襯用軟PVC或其它認(rèn)可的材料，槽邊應(yīng)配有排風(fēng)設(shè)備。
2、 陽極：含錫6-8%的錫鉛陽極或其它認(rèn)可材料。
3、 整流器：整流器應(yīng)能提供足夠安培數(shù)及9-15V的直流電，波紋率應(yīng)小于5%。
4、 溫度控制：采用熱交換器或冷卻管，建議用鈦管或聚四氟乙烯。
轉(zhuǎn)缸及前處理：
傳統(tǒng)硬鉻鍍液可直接使用G100添加劑，轉(zhuǎn)缸工藝簡單，但應(yīng)將原鍍液分析檢驗(yàn)，確認(rèn)各組分比例正常，無機(jī)雜質(zhì)小于7.5g/L，含氟型和稀土型鍍鉻液不宜直接轉(zhuǎn)化。如使用國外同類產(chǎn)品，在鍍液正常時可直接添加。G100添加劑工藝的前處理同一般鍍硬鉻工藝相同，無需特殊處理。
槽液維護(hù)：
保持鉻酐、硫酸在工藝范圍內(nèi)，添加劑G100添加劑按7ml/KAH補(bǔ)加。