S800甲基磺酸高速鍍錫工藝說明書
(應(yīng)用于電子構(gòu)裝工藝流程)
一、簡述
S800 為一低泡沫性的有機酸電鍍工藝，能在高速和低速下電鍍出沉積均勻、多邊形大晶粒純錫鍍層。S800 特別設(shè)計用于高速片狀式或卷帶式電鍍設(shè)備，該工藝非常適用于半導體引線框架和連接器。此工藝可以通過改變操作參數(shù)用于低速電鍍。
二、優(yōu)點與特征
1. 環(huán)保，無鉛鍍層
2. 低應(yīng)力
3. 大尺寸多邊形結(jié)晶(直徑4-5微米)
4. 優(yōu)越的焊錫性能
5. 低泡沫性電鍍液
6. 均勻緞狀啞光外觀
三、錫鍍層的參考資料
結(jié)構(gòu)與外觀：大結(jié)晶,緞狀-啞光
合金比例： 100%錫
熔點：232oC (450oF)
四、1公升工作槽液之配制
高 速
中 速
低 速
五、槽液配置的步驟
1. 添加去離子水于鍍槽中。
2. 加入Solderon HC(70%)酸液，攪拌均勻。
3. 加入Solderon 錫濃縮液(300克/公升)，攪拌均勻。
4. 加入S800A劑，攪拌均勻。
5. 加入S800B劑，攪拌均勻。
6. 加入S800C劑，攪拌均勻。
7. 添加去離子水至控制液位。
注意：錫濃縮液(濃原液)中含有Solderon HC酸液，故它們亦對鍍液中的Solderon HC酸濃度構(gòu)成影響。
六、前處理
在槽液配置前，建議用70-140毫升/公升之Solderon HC酸液工序作為***之活化步驟。
七、操作規(guī)范
高 速
中 速
低 速
八、維持工作槽液的資料
S800A劑
S800A劑是用于維持細致及均勻之鍍層。S800 ***添加劑需根據(jù)(CVS)分析結(jié)果控制其濃度。
S800B劑
S800B劑是用于維持低電流密度區(qū)域的覆蓋能力。補充量為每1000安培小時20-30毫升，或根據(jù) UV/VIS 分析結(jié)果進行補充以保持濃度在3-7毫升/公升之間。
Solderon 錫濃縮液(300克/公升)
每公升錫濃縮液含二價錫300克，每添加3.33毫升/公升的錫濃縮液(300克/公升)，可提高錫濃度1克/公升。
Solderon HC(70%)酸液
每添加10毫升/公升 Solderon HC酸液，鍍液的酸濃度會提升1%。
S800C劑
S800C劑是一種抗氧化劑，以減低二價錫之氧化。根據(jù) UV 分析結(jié)果控制其濃度。
九、 注意事項：
1.在0.5微米厚的鎳底層上鍍S800可有效防止晶須的產(chǎn)生。
2.鉛雜質(zhì)超過100ppm將會產(chǎn)生危害。隨著鉛含量的增加，高電流密度區(qū)域鍍層會變得越來越暗，對鉛污染的容忍度取決于電流密度的高低，電流密度越低，對鉛污染的容忍度越低。
3.鉛污染來自于鍍缸中的錫鉛殘留物(如果鍍缸以前作過他用)或陽極。