S800工藝說(shuō)明書(shū)
(應(yīng)用于電子構(gòu)裝工藝流程)
一、簡(jiǎn)述
S800 為一低泡沫性的有機(jī)酸電鍍工藝，能在高速和低速下電鍍出沉積均勻、多邊形大晶粒純錫鍍層。S800 特別設(shè)計(jì)用于高速片狀式或卷帶式電鍍?cè)O(shè)備，該工藝非常適用于半導(dǎo)體引線框架和連接器。此工藝可以通過(guò)改變操作參數(shù)用于低速電鍍。
二、優(yōu)點(diǎn)與特征
1. 環(huán)保，無(wú)鉛鍍層
2. 低應(yīng)力
3. 大尺寸多邊形結(jié)晶(直徑4-5微米)
4. 優(yōu)越的焊錫性能
5. 低泡沫性電鍍液
6. 均勻緞狀啞光外觀
三、錫鍍層的參考資料
結(jié)構(gòu)與外觀：大結(jié)晶,緞狀-啞光
合金比例： 100%錫
熔點(diǎn)：232oC (450oF)
四、1公升工作槽液之配制
高 速
藥品 | 5-30 安培/平方分米 |
去離子水 | 570毫升 |
Solderon 錫濃縮液(300克/公升) | 217毫升 |
Solderon HC(70%)酸液 | 80毫升 |
S800A劑 | 100毫升 |
S800B劑 | 5毫升 |
S800C劑 | 10毫升 |
添加去離子水至指定容積 |
中 速
藥品 | 5-15 安培/平方分米 |
去離子水 | 600毫升 |
Solderon 錫濃縮液(300克/公升) | 133毫升 |
Solderon HC(70%)酸液 | 130毫升 |
S800A劑 | 100毫升 |
S800B劑 | 10毫升 |
S800C劑 | 10毫升 |
添加去離子水至指定容積 |
低 速
藥品 | 0.5-5 安培/平方分米 |
去離子水 | 580毫升 |
Solderon 錫濃縮液(300克/公升) | 83毫升 |
Solderon HC(70%)酸液 | 235毫升 |
S800A劑 | 75毫升 |
S800B劑 | 4毫升 |
S800C劑 | 10毫升 |
添加去離子水至指定容積 |
五、槽液配置的步驟
1. 添加去離子水于鍍槽中。
2. 加入Solderon HC(70%)酸液，攪拌均勻。
3. 加入Solderon 錫濃縮液(300克/公升)，攪拌均勻。
4. 加入S800A劑，攪拌均勻。
5. 加入S800B劑，攪拌均勻。
6. 加入S800C劑，攪拌均勻。
7. 添加去離子水至控制液位。
注意：錫濃縮液(濃原液)中含有Solderon HC酸液，故它們亦對(duì)鍍液中的Solderon HC酸濃度構(gòu)成影響。
六、前處理
在槽液配置前，建議用70-140毫升/公升之Solderon HC酸液工序作為最后之活化步驟。
七、操作規(guī)范
高 速
變量 | 操作范圍 | 建議參數(shù) |
二價(jià)錫 | 55-75克/公升 | 65克/公升 |
Solderon HC(70%)酸液 | 175-245毫升/公升 | 210毫升/公升 |
S800A劑 | 70-130 毫升/公升 | 100 毫升/公升 |
S800B劑 | 2-8 毫升/公升 | 5 毫升/公升 |
S800C劑 | 5-20 毫升/公升 | 10 毫升 |
溫度 | 45-55℃ | 50℃ |
陰極電流密度 | 5-50 安培/平方分米 | 因設(shè)備之設(shè)計(jì)及生產(chǎn)要求而定 |
陽(yáng)極與陰極面積比 | 至少1：1 |
攪拌 | 陰極移動(dòng)及中速鍍液循環(huán)攪拌 |
陰極效率 | 95-100% |
沉積速率 | 在10安培/平方分米下為每分鐘5.0微米 |
中 速
變量 | 操作范圍 | 建議參數(shù) |
二價(jià)錫 | 30-50克/公升 | 40克/公升 |
Solderon HC(70%)酸液 | 175-245毫升/公升 | 210毫升/公升 |
S800A劑 | 70-130 毫升/公升 | 100 毫升/公升 |
S800B劑 | 5-15 毫升/公升 | 10 毫升/公升 |
S800C劑 | 5-20 毫升/公升 | 10 毫升/公升 |
溫度 | 35-45℃ | 40℃ |
陰極電流密度 | 5-15 安培/平方分米 | 因設(shè)備之設(shè)計(jì)及生產(chǎn)要求而定 |
陽(yáng)極與陰極面積比 | 至少1：1 |
攪拌 | 陰極移動(dòng)及中速鍍液循環(huán)攪拌 |
陰極效率 | 95-100% |
沉積速率 | 在5安培/平方分米下為每分鐘2.5微米 |
低 速
變量 | 操作范圍 | 建議參數(shù) |
二價(jià)錫 | 20-30克/公升 | 25克/公升 |
Solderon HC(70%)酸液 | 270-300毫升/公升 | 285毫升/公升 |
S800A劑 | 50-100 毫升/公升 | 75 毫升/公升 |
S800B劑 | 2-6 毫升/公升 | 4 毫升/公升 |
S800C劑 | 5-20 毫升/公升 | 10 毫升/公升 |
溫度 | 25-35℃ | 30℃ |
陰極電流密度 | 0.5-5 安培/平方分米 | 因設(shè)備之設(shè)計(jì)及生產(chǎn)要求而定 |
陽(yáng)極與陰極面積比 | 至少1：1 |
攪拌 | 陰極移動(dòng)及中速鍍液循環(huán)攪拌 |
陰極效率 | 95-100% |
沉積速率 | 在1安培/平方分米下為每分鐘0.5微米 |
八、維持工作槽液的資料
S800A劑
S800A劑是用于維持細(xì)致及均勻之鍍層。S800 第一添加劑需根據(jù)(CVS)分析結(jié)果控制其濃度。
S800B劑
S800B劑是用于維持低電流密度區(qū)域的覆蓋能力。補(bǔ)充量為每1000安培小時(shí)20-30毫升，或根據(jù) UV/VIS 分析結(jié)果進(jìn)行補(bǔ)充以保持濃度在3-7毫升/公升之間。
Solderon 錫濃縮液(300克/公升)
每公升錫濃縮液含二價(jià)錫300克，每添加3.33毫升/公升的錫濃縮液(300克/公升)，可提高錫濃度1克/公升。
Solderon HC(70%)酸液
每添加10毫升/公升 Solderon HC酸液，鍍液的酸濃度會(huì)提升1%。
S800C劑
S800C劑是一種抗氧化劑，以減低二價(jià)錫之氧化。根據(jù) UV 分析結(jié)果控制其濃度。
九、 注意事項(xiàng)：
1.在0.5微米厚的鎳底層上鍍S800可有效防止晶須的產(chǎn)生。
2.鉛雜質(zhì)超過(guò)100ppm將會(huì)產(chǎn)生危害。隨著鉛含量的增加，高電流密度區(qū)域鍍層會(huì)變得越來(lái)越暗，對(duì)鉛污染的容忍度取決于電流密度的高低，電流密度越低，對(duì)鉛污染的容忍度越低。
3.鉛污染來(lái)自于鍍缸中的錫鉛殘留物(如果鍍缸以前作過(guò)他用)或陽(yáng)極。